
项目
| 资料
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熔点 | 1725℃
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密度 | 5.95×103kg/m3 |
维氏硬度
| (101):9.7GPa (-201):12.5GPa
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杨氏模量
| 230GPa
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热导率
| [100]:13.6W/m・K [010]:22.8W/m・K
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比热容
| 0.49×103J/kg・K
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折射率
| 1.97
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产品特性:
- 带隙能量大 (4.8~4.9V)
- N型传导率控制范围广
- 在大气压力下熔体生长速度快
我司采用熔体生长法 "EFG" (限边馈膜生长法) 生产单晶氧化镓,具有最稳定的β型晶体结构。
应用
1) 可见光/紫外光LED的基板
氧化镓基板具有“透明和导电”的特点,可用于垂直LED结构。
2) 功率半导体的基板
氧化镓基板具有“带隙能量大”的特点,可用于高击穿电压和低损耗的设备。
3) 紫外线探测器
可以在没有滤光器的情况下设计紫外线探测器。
以及其他应用。
产品
- 单晶氧化镓基板
规格:pdf
会展信息
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Novel Crystal Technology, Inc.
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