単結晶酸化ガリウム基板

酸化ガリウム(Ga2O3)は、ガリウム(Ga)と酸素(O)の化学量論比2:3の化合物です。
結晶は右記にします単斜晶系の構造となっています。

項目  
 融点 1725℃
 比重 5.95×103kg/m3
 ビッカース硬度
 (101):9.7GPa
 (-201):12.5GPa
 ヤング率
 230GPa
 熱伝導度
 [100]:13.6W/m・K
 [010]:22.8W/m・K
 比熱
 0.49×103J/kg・K
 屈折率
 1.97


物質としての特性は、
・大きなバンドギャップ:4.8~4.9V
・広範囲に渡りn型キャリア濃度の制御が可能
・大気圧下での高速融液成長が可能です。
当社は融液成長法である“EFG法(Edge-defined Film-fed Growth method)”を用いて単結晶酸化ガリウム基板の製造を行っています。



アプリケーション


1) 可視光/紫外LED用基板
 本基板の“透明で導電性”である特徴を活かし、LED縦型構造にすることができます。

2) パワー半導体用基板
 大きなバンドギャップを活かした高耐圧・低損失なデバイス特性にすることが可能です。

3) 深紫外センサー
 光学フィルタが不要な深紫外の検出が可能となります。

など



製品


・酸化ガリウム ベア基板   仕様書:pdf




学会・展示会情報





問い合わせ先
セミコン開発室
email : sales.gao@tamura-ss.co.jp

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