单晶氧化镓基板

氧化镓是按镓(Ga)和氧(O) 2:3的化学计量比例合成的化合物。
晶体结构为单斜,如下图所示。
项目  
资料
 熔点 1725℃
 密度 5.95×103kg/m3
 维氏硬度
 (101):9.7GPa
 (-201):12.5GPa
 杨氏模量
 230GPa
 热导率
 [100]:13.6W/m・K
 [010]:22.8W/m・K
 比热容
 0.49×103J/kg・K
 折射率
 1.97


产品特性:
  - 带隙能量大 (4.8~4.9V)
  - N型传导率控制范围广
  - 在大气压力下熔体生长速度快
我司采用熔体生长法 "EFG" (限边馈膜生长法) 生产单晶氧化镓,具有最稳定的β型晶体结构。



应用

1) 可见光/紫外光LED的基板
氧化镓基板具有“透明和导电”的特点,可用于垂直LED结构。

2) 功率半导体的基板
氧化镓基板具有“带隙能量大”的特点,可用于高击穿电压和低损耗的设备。

3) 紫外线探测器
可以在没有滤光器的情况下设计紫外线探测器。

以及其他应用。



产品

- 单晶氧化镓基板   规格:pdf




会展信息




咨询

Novel Crystal Technology, Inc.

HP     : https://www.novelcrystal.co.jp/
e-mail : sales@novelcrystal.co.jp

TOP